FZT651TA 与 BDP 949 H6327 区别
| 型号 | FZT651TA | BDP 949 H6327 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A36-FZT651TA | A-BDP 949 H6327 | ||||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | BJT三极管 | BJT三极管 | ||||||
| 描述 | FZT651 Series NPN 3 A 60 V SMT Silicon High Performance Transistor - SOT-223 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | 3W | 5W | ||||||
| 特征频率fT | 175MHz | 100MHz | ||||||
| 产品特性 | - | 车规 | ||||||
| 集电极-射极饱和电压 | 600mV | 500mV | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-223 | SOT-223 | ||||||
| VCBO | 80V | 60V | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -65°C~150°C | ||||||
| VEBO | 7V | 5V | ||||||
| 集电极连续电流 | 3A | 3A | ||||||
| 直流电流增益hFE | 100 | 100 | ||||||
| 集电极-发射极最大电压VCEO | 60V | 60V | ||||||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 1,883 | 1,000 | ||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 | ||||||
| 单价（含税） |
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暂无价格 | ||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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FZT651TA | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 3W 60V 3A 600mV 100 175MHz NPN |
￥1.474
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1,883 | 当前型号 | ||||||||||
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FZT651TC | Diodes Incorporated | 数据手册 | BJT三极管 |
600mV 100 SOT-223-3 2W 60V 3A 175MHz NPN |
￥2.024
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3,081 | 对比 | ||||||||||
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BDP 949 H6327 | Infineon | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 5W 60V 3A 500mV 100 100MHz 车规 NPN |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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PBSS4360ZX | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 650mW 60V 3A 400mV 200 145MHz 车规 NPN |
￥0.9548
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755 | 对比 | ||||||||||
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PBSS4350Z,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 2W 50V 3A 290mV 200 100MHz 车规 NPN |
￥2.574
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261 | 对比 | ||||||||||
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PBSS4350Z,135 | Nexperia | 数据手册 | BJT三极管 |
SOT-223 2W 50V 3A 290mV 200 100MHz 车规 NPN |
暂无价格 | 87 | 对比 |
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